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GaN-HEMTの基板にはSi（シリコン）やSiC（炭化ケイ素）がよく使われますが、ダイヤモンドはSiの約12倍、SiCの約4～6倍の熱伝導率を持ち、熱抵抗をそれぞれ1/4、1/2に低減します。
これまで、多結晶ダイヤモンドの粒径が大きく、表面粗さ（5 ～ 6 nm）が大きいため、はんだや接着剤を使用せずに GaN 層を直接接合することは困難でした。しかし、表面粗さを従来の半分にまで低減するダイヤモンド基板研磨技術と、Si基板からGaN層を多結晶ダイヤモンドに転写する技術を組み合わせることで、2インチの多結晶ダイヤモンドにGaN層を直接接合することに成功しました。
これは、多結晶ダイヤモンド上の GaN 構造の実現可能性とその熱放散特性の均一性を示しています。
March 05, 2026
July 22, 2025
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