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モデル: 57*0.95mm
主なパフォーマンス上の利点
卓越した熱伝導率: 室温での熱伝導率は 1000 ～ 2200 W/(m・K) で、特定の要件を満たすカスタム グレード (TC1200、TC1500、TC1800、TC2000 など) があり、銅やアルミニウムなどの従来の放熱材料をはるかに上回っています。
優れた電気絶縁性: 10¹4 – 10¹⁶ Ω・cm という高い抵抗率、約 5.68 の誘電率、および 6.2×10-8 という低い誘電損失により、追加の絶縁層を必要とせずにアクティブデバイスの表面に直接接着できます。
低熱膨張マッチング: 熱膨張係数が 0.8 ～ 1.0 ppm/K と低いため、Si、GaN、GaAs などの半導体材料との適合性が高く、熱不整合によって引き起こされる界面剥離の問題を効果的に解決します。
高い機械強度: ビッカース硬度 >8000 kg/mm²、ヤング率 850 ～ 1100 GPa、引張強さ 450 ～ 1100 MPa。高温や腐食に強く、過酷な環境でも長期間安定した動作が可能です。
軽量設計：密度はわずか3.52 g/cm3で軽量で、電子機器の小型化と携帯性に貢献します。
アプリケーション
AI コンピューティングおよびデータセンター: AI トレーニング チップおよび高性能 GPU/CPU パッケージに直接統合されたこれらのソリューションは、チップのジャンクション温度を大幅に低減し、高熱束密度 (1000 W/cm2 を超える) の下での「ホットスポット」問題に効果的に対処し、持続的な高負荷パフォーマンスを強化します。
高出力半導体レーザー: レーザー ダイオードおよびレーザー バーの中間ヒートシンクとして使用され、熱抵抗を大幅に低減します。応用事例では、ダイヤモンド ヒートシンクを使用したレーザー チップの熱抵抗が、従来のセラミック基板と比較して 81% 以上低減されることが実証されています。
RF およびマイクロ波デバイス: 5G/6G RF パワー アンプ、TR モジュール、GaN-on-Diamond 複合基板などに使用され、熱抵抗が約 30% 低減され、より高い電力密度とより高い周波数動作が可能になります。
パワーエレクトロニクスおよび新エネルギー車：SiCやGaNなどのワイドバンドギャップパワーモジュールの放熱に使用され、充放電時の温度上昇を制御し、電力密度とシステムの信頼性を向上させます。
航空宇宙および防衛: 衛星電子システム用のヒート スプレッダー、高出力レーダー コンポーネント、宇宙船電子機器など、極限環境での熱管理に使用されます。
光通信および高速相互接続: 800G/1.6T 光モジュールのレーザー チップの冷却、波長と出力パワーの安定化、ビット エラー レートの大幅な低減に使用されます。
カスタマイズサービス
当社は、結晶成長からウェーハ製造、テスト、アプリケーションに至るまで、ダイヤモンド生産チェーン全体にわたるエンドツーエンドの製造能力を備えており、お客様のニーズに合わせたワンストップのカスタマイズサービスを提供しています。
カスタム サイズ: 当社は、2、3、4、および 6 インチ サイズのウェハー レベルの製品と、さまざまなカスタム形状 (10 mm × 10 mm、30 mm × 55 mm など) を提供します。
カスタム熱伝導率: 特定のアプリケーション要件を満たすために、TC1200、TC1500、TC1800、TC2000 などのさまざまな熱伝導率レベルの製品をカスタマイズできます。
カスタム厚さ: 厚さの範囲は 200 ～ 1000 μm で、さまざまな包装シナリオに対応します。
表面処理：表面粗さ（Ra）1nm以下の精密研削・研磨サービスを提供しております。メタライズ、パターニング、穴あけなどの後加工もサポートします。
複合基板: ダイヤモンド銅複合材料やダイヤモンドシリコン複合基板など、高い熱伝導率と熱膨張適合性のバランスをとったソリューションを提供します。
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