CVD多結晶ダイヤモンドヒートシンク
（合計7商品）
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CVD 多結晶ダイヤモンド ヒートシンク – 高熱伝導率ヒート スプレッダー
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CVD 金メッキ ダイヤモンド ヒートシンク – Au コーティングを施した高熱伝導性ヒート スプレッダー
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高出力 LED および光通信モジュールの放熱用のカスタムサイズの CVD 単結晶ダイヤモンド ヒートシンク
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AIチップGPU向け超高熱伝導率CVD単結晶ダイヤモンドヒートシンク
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レーザー冷却用高熱伝導性・絶縁性CVD単結晶ダイヤモンドヒートシンク
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ハイパワー半導体チップの熱管理用超高熱伝導率CVD単結晶ダイヤモンドヒートスプレッダー
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主なパフォーマンス上の利点卓越した熱伝導率: 室温での熱伝導率は 1000 ～ 2200 W/(m・K) で、特定の要件を満たすカスタム グレード (TC1200、TC1500、TC1800、TC2000 など) があり、銅やアルミニウムなどの従来の放熱材料をはるかに上回っています。優れた電気絶縁性: 10¹4 – 10¹⁶ Ω・cm という高い抵抗率、約 5.68 の誘電率、および 6.2×10-8...
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最小注文数:1
Model No:53*0.5mm
主なパフォーマンス上の利点優れた熱伝導率: 室温での熱伝導率は 1000 ～ 2200 W/(m・K) の範囲にあり、特定の要件を満たすためにカスタム グレード (TC1200、TC1500、TC1800、TC2000 など) が利用可能で、銅やアルミニウムなどの従来の放熱材料をはるかに上回っています。優れた電気絶縁性: 10¹4 – 10¹6 Ω・cm という高い抵抗率、約 5.68 の誘電率、および 6.2×10-8...
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最小注文数:1
Model No:5-5-0.3mm
第 3 世代の半導体高出力デバイス、高出力レーザー、マイクロ電子ヒートシンク コンポーネントで使用できます。
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最小注文数:1
Model No:3.45-2.85-0.5mm
第 3 世代の半導体高出力デバイス、高出力レーザー、マイクロ電子ヒートシンク コンポーネントで使用できます。
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最小注文数:1
Model No:3.45-2.85-0.3mm
第 3 世代の半導体高出力デバイス、高出力レーザー、マイクロ電子ヒートシンク コンポーネントで使用できます。
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最小注文数:1
Model No:2.8*2.9*0.25mm
第 3 世代の半導体高出力デバイス、高出力レーザー、マイクロ電子ヒートシンク コンポーネントで使用できます。
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CVD ダイヤモンド ヒートシンク: 究極の熱管理ソリューション CVD ダイヤモンド ヒート シンクは、化学蒸着 (CVD) 技術によって製造された高性能の熱管理コンポーネントです。単結晶超硬材料の一種。制御された環境で純粋な炭素原子を層ごとに堆積させることにより、その優れた特性で知られる多結晶ダイヤモンド構造が形成されます。銅の 5 倍である 1800 ～ 2200 W/m·K...
最小注文数:1CVD ダイヤモンド ヒートシンク: 究極の熱管理ソリューション CVD ダイヤモンド ヒート シンクは、化学蒸着 (CVD) 技術によって製造された高性能の熱管理コンポーネントです。単結晶超硬材料の一種。制御された環境で純粋な炭素原子を層ごとに堆積させることにより、その優れた特性で知られる多結晶ダイヤモンド構造が形成されます。銅の 5 倍である 1800 ～ 2200 W/m·K...